我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

2018-06-07 10:59　來源：科技日報責任編輯：fl

發送短信 zmdsjb 到 10658300 即可訂閱《駐馬店手機報》，每天1毛錢，無GPRS流量費。

摘要：原標題：我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運

原標題：我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。

中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。”

SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

中國電科二所第一事業部主任李斌說：“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關鍵原材料，單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設備，要想生長出高質量的SiC單晶，在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下，還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。”

據介紹，單晶生長爐需要達到高溫、高真空、高潔凈度的要求，目前國內只有兩家能生產單晶生長爐，中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長的溫場設計，實現可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產；他們還突破了高純SiC粉料中的雜質控制技術、粒度控制技術、晶型控制技術等關鍵技術，實現了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產。（記者王海濱通訊員王玉芳）

責任編輯：fl

(原標題：科技日報)

版權聲明：

1.凡本網注明“來源：駐馬店網”的所有作品，均為本網合法擁有版權或有權使用的作品，未經本網書面授權不得轉載、摘編或利用其他方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的，應在授權范圍內使用，并注明“來源：駐馬店網”。任何組織、平臺和個人，不得侵犯本網應有權益，否則，一經發現，本網將授權常年法律顧問予以追究侵權者的法律責任。

駐馬店日報報業集團法律顧問單位：上海市匯業（武漢）律師事務所

首席法律顧問：馮程斌律師

2.凡本網注明“來源：XXX（非駐馬店網）”的作品，均轉載自其他媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責。如其他個人、媒體、網站、團體從本網下載使用，必須保留本網站注明的“稿件來源”，并自負相關法律責任，否則本網將追究其相關法律責任。

3.如果您發現本網站上有侵犯您的知識產權的作品，請與我們取得聯系，我們會及時修改或刪除。